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●橋體采用多種介質(zhì)損耗測量線; ●電位跟蹤器和橋體中的其他儀器外圍接線較少; ●橋體本身具有5000V電源和標(biāo)準(zhǔn)電容（100pF），被測材料的介電損耗更加方便;橋電容比Cx / Cs（當(dāng)額定比為1：1時）為0至1.11110，步長0.00001，放大倍數(shù)（K）從10,5,2,1總共4可以定制以增加范圍測量范圍電容器的大小和電容取決于標(biāo)準(zhǔn)電容器Cs的大小和電容，即Cx = Cs·K·（Cx / Cs）。

電容比值的測量精度：電容比讀數(shù)應(yīng)不大于第一個磁盤滿時的讀數(shù)。

Tgδ＆lt; 3×10-3為±0.00005ttgδ≥3×10-3為±0.00005±0.005×tgδx橋tgδ為-0.111110~ + 0.111110，臺階為0.000001。

tgδx的測量精度不大于±0.5％tgδx±5×10-5測量的電容顯示：Cx =（0.1~11.1110）Cn顯示為測量電容的前6位有效數(shù)字。

測得的電容的介電損耗表明：tgδ= -1.11×10-1~1.11×10-1顯示為測量電容的介電損耗的前3位有效數(shù)字，并結(jié)合科學(xué)記數(shù)法。

電容和介電損耗顯示精度：電容：±0.5％×tgδx±0.00005;介質(zhì)損耗：±0.5％tgδx±5×10-5電橋的最大工作電流：電橋標(biāo)準(zhǔn)臂的最大允許電流為15mA。

要測量的手臂的最大電流與放大倍數(shù)的位置有關(guān)，請參見表格。

分辨率：當(dāng)通過標(biāo)準(zhǔn)電容的電流為0.1mA，并且電容比讀取第一個磁盤已滿且電橋完全平衡時，電容比和介質(zhì)損耗磁盤的分辨率均為5×10-5。

電容預(yù)設(shè)范圍：0000.00至1999.99pF。

橋中有過壓保護(hù)，點火電壓不超過30 VAC。

測試電壓顯示：0~2.5kV分辨率范圍為0.1kV。

該橋的主要技術(shù)特點如下：1。

電壓零靈敏度2μV/ div。

2.輸入阻抗為80kΩ。

3.三次諧波抑制-60dB。

注：以上所有技術(shù)指標(biāo)均為基本測試頻率50±0.2Hz。

電源電壓220V，容差10％，頻率50±2Hz，功耗約40W，電壓頻率50±0.2Hz。

高壓電源技術(shù)特點：電壓輸出：0~2500V / 50Hz;高壓電流輸出：0~10mA（左右）。

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器，電容為100pF或50pF（對于標(biāo)稱值，實際值在印張上給出）。

tgδ小于5×10 -5且測試電壓為2500V / 50Hz。

尺寸：560（寬）×410（深）×390（高）mm。

工作電壓：150V~260V / 50Hz（注：高壓輸出與工作電壓成正比）重量：約35Kg高壓電橋主要用于測量高壓介質(zhì)損耗角的正切值和電容工業(yè)絕緣材料。

它采用了西林橋的經(jīng)典系列。

它主要測量電容器，變壓器，變壓器，各種電油和各種固體絕緣材料在工頻和高壓下的介電損耗（tgδ）和電容（Cx）。

測量電路采用“正連接方式”，即測量。

測試樣品的接地絕緣。

由于該橋配有5000V高壓電源和高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并且二次橋和電流計與高壓橋有機(jī)結(jié)合，因此該橋特別適用于測量各種類型的絕緣油和絕緣。

材料的介電損耗（tgδ）和介電常數(shù)（ε）。